Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменном и постоянном сигналах и их фотоэлектрическими характеристиками.