Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs

doi:10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs	437 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254

#носители зарядов

#полупроводниковые структуры

#лавинные S-диоды

#перезарядка глубоких уровней

Title: Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs
Creator: Верхолетов, Максим Георгиевич
|
Королева, Анастасия Дмитриевна
|
Толбанов, Олег Петрович
|
Прудаев, Илья Анатольевич
Date: 2018
DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46193.17254
Description: Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+-pi-nu-n-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в pi-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что S-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных S-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.