Применение дополнительных воздействий электрического и магнитного полей во время термического спекания керамики [1, 2] способствует улучшению симметрии кристаллической структуры и, как следствие, физико-механических свойств оксидных материалов [3–7]. Многочисленные исследования, проведенные в [8–11], убедительно показали, что постоянное магнитное поле оказывает влияние на скорость пластической деформации и состояние точечных дефектов для широкого класса кристаллических диэлектриков. В частности, в [11] показано, что воздействие симметричного постоянного магнитного поля с индукцией B ~ 1 Тл инициирует под действием повышенной температуры в ZrO2 протекание многостадийного релаксационного процесса, что вызывает необратимое изменение метастабильных состояний дефектов кристаллических структур, приводящее к увеличению прочности и плотности кристаллических фаз оксида.