Представлены результаты моделирования временных зависимостей коэффициента пропускания в кристалле Bi12SiO20 при гармонической модуляции возбуждающего излучения по длине волны. Рассмотрена возможность оценки спектрального положения гауссовых кривых, описывающих вероятности внутрицентровых переходов, как одного из типов вкладов в примесное поглощение кристаллов силленитов. Показано, что амплитуда второй фурье-гармоника в разложении временной зависимости коэффициента пропускания исследуемого образца максимальна вблизи центральных длин волн для внутрицентровых переходов.