Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами	385 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
Creator: Гальченко, Регина Аркадьевна
Date: 2018

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.. Томск, 2018. С. 216-218
Language: rus