The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Г point for GdRh2Si2 are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces.
Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 24-27 апреля 2018 г.. Томск, 2018. Т. 1 : Физика. С. 84-86
Language
rus
926 Visitors788 Hits151 Downloads
Физический факультет
Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла