Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe	507 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#МДП-структуры

#теллурид кадмия ртути

#электрофизические исследования

#приповерхностные слои

#полупроводниковые гетероструктуры

Title: Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Варавин, Василий Семенович
|
Васильев, Владимир Васильевич
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
Date: 2017
Description: Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Language: rus

Created: 28-03-2018

7918 Visitors

7567 Hits

437 Downloads

Радиофизический факультет

Сибирский физико-технический институт

Журналы ТГУ Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe