Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изменение состава твердого раствора в области V-дефекта приводит к изменению величины контактной разности потенциалов. Показано, что в области V-дефекта состав твердого раствора изменяется на ~ 0.05 (2.5 ат.%) в сторону увеличения содержания ртути, а по периферии V-дефекта наблюдается область обеднения ртутью на 0.36 ат.%. Из анализа распределения поверхностного потенциала показано, что эпитаксиальная пленка КРТ, кроме макроскопических V-дефектов, содержит несформировавшиеся V-дефекты диаметром менее 1 мкм.