Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами	5 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers
Creator: Толбанов, Олег Петрович
|
Вилисова, Мария Дмитриевна
|
Прудаев, Илья Анатольевич
|
Хлудков, Станислав Степанович
Contributor: Томский государственный университет
Date: 2016
Publisher: Томск : Издательский Дом Томского государственного университета

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
-: ISBN:9785946215565
Type: монографии
Language: rus

Created: 29-11-2016

10790 Visitors

2865 Hits

9146 Downloads

Сибирский физико-технический институт Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами