Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
- Version
- 1.5
- Pages
- 4
- Size
- 464 KB
- Producer
- Microsoft® Word 2010
Open in Browser
|
View Pdf in Internal Viewer
|
Download
464 KB
