Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в смешанном растворе гидроксида калия KOH и пероксодисульфата калия K2S2O8 для формирования морфологии на поверхности n-GaN, после лазерного отделения сапфировой подложки. В результате на поверхности формируются конусы размером 1–1.5 мкм. Определена зависимость морфологии поверхности от концентрации раствора и времени травления.