Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава	3 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Коханенко, Андрей Павлович
|
Лозовой, Кирилл Александрович
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99
Language: rus

Created: 18-12-2015

1550 Visitors

1226 Hits

349 Downloads

Радиофизический факультет Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава