Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN	462 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Creator: Прудаев, Илья Анатольевич
|
Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Date: 2014

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Language: rus

Created: 25-03-2015

1449 Visitors

1167 Hits

306 Downloads

Журналы ТГУ Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN