Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range

doi:10.2478/s11772−014−0198−7

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range	5 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.2478/s11772−014−0198−7

#теллурид кадмия ртути

#МДП-структуры

#адмиттанс

#варизонные слои

Title: Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range
Creator: Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Nesmelov, Sergey N.
|
Dzyadukh, Stanislav M.
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date: 2014
DOI: 10.2478/s11772−014−0198−7

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 4. P. 236-244
Language: eng

Created: 20-11-2014

1388 Visitors

1395 Hits

10 Downloads

Сибирский физико-технический институт

Радиофизический факультет Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range