The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition	1 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.1063/1.4867778

Title: The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition
Creator: Shmargunov, A. V.
|
Bekezina, T. P.
|
Torkhov, N. A.
|
Novikov, Vladimir A.
|
Bozhkov, V. G.
Contributor: Томский государственный университет Химический факультет Научные подразделения ХФ
-: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Date: 2014
DOI: 10.1063/1.4867778

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Химический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Journal of applied physics. 2014. Vol. 115, № 22. P. 224505-1-224505-8
Language: eng

Created: 22-08-2014

1536 Visitors

1536 Hits

7 Downloads

Химический факультет The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition