Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов	35 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#диссертации

#полупроводниковые приборы

#диоды кремниевые

#переходные процессы

#уровни инъекций низкие

#уровни инъекций высокие

#переключения направлений

#нестационарные процессы

#время жизни носителей заряда

#дислокации в полупроводниках

#центры рекомбинаций

#термозакалка кремния

#облучение быстрыми нейтронами

#отжиг радиационных дефектов

#поверхностные свойства кремния

#скорость поверхностной рекомбинации

#переходные характеристики

#расчетные формулы

#геометрические формы диодов

#температурная зависимость

#дефекты объемные

#инерционность диодов

Title: Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
Creator: Зайдман, Софья Ароновна
|
Гаман, Василий Иванович (научный руководитель)
Contributor: Томский государственный университет
Date: 1966
Publisher: Томск : [б. и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Авторефераты, диссертации
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: диссертации
Language: rus

Created: 07-06-2023

715 Visitors

724 Hits

1 Downloads

Авторефераты, диссертации Исследование влияния параметров базы на переходные процессы кремниевых диодов : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.