Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
483 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#гетероструктуры
#псевдопотенциал
#условная сшивания
#квантовые ямы
Title
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
Creator
Караваев, Геннадий Федорович
|
Чернышов, Виктор Николаевич
Contributor
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date
2012
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
|
Журналы ТГУ
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 10. С. 92-99
Language
rus
Created: 20-05-2013
894 Visitors
690 Hits
213 Downloads
Сибирский физико-технический институт
Журналы ТГУ
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
^ DIV >