Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN	582 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
Creator: Голыгин, Илья Юрьевич
|
Новиков, Вадим Александрович
|
Данюк, Денис Борисович
|
Скакунов, Максим Сергеевич
|
Толбанов, Олег Петрович
|
Прудаев, Илья Анатольевич
Contributor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
-: Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
-: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date: 2012

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Language: rus

Created: 23-04-2013

2247 Visitors

1891 Hits

394 Downloads

Радиофизический факультет < > Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN