Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption	332 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.1021/jp211360d

Title: Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption
Creator: Paget, D.
|
Toropetsky, K. V.
|
Alperovich, V. L.
|
Eremeev, Sergey V.
|
Bakulin, Alexander V.
|
Kulkova, Svetlana E.
|
Doyle, B. P.
|
Nannarone, S.
|
Tereshchenko, Oleg E.
Contributor: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики
Date: 2012
DOI: 10.1021/jp211360d

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: The Journal of Physical Chemistry C. 2012. Vol. 116, № 15. P. 8535-8540
Language: eng

Created: 03-07-2012

3565 Visitors

3613 Hits

5 Downloads

Bakulin, Alexander V. Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption