Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками	379 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#физика полупроводников

Title: Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.
Creator: Дзядух, Станислав Михайлович
Contributor: Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
Date: 2010
Publisher: Томск : [б. и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Авторефераты, диссертации
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: авторефераты диссертаций
Language: rus

Created: 14-03-2012

902 Visitors

733 Hits

195 Downloads

Авторефераты, диссертации Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.