Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
617 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#физика полупроводников
#электрофизические свойства
#барьеры
#Шоттки барьер
#арсенид галлия
#электрические характеристики структур
#структуры
#научные исследования
#квантовые явления
#труды ученых ТГУ
Title
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
Creator
Вяткин, Анатолий Петрович
|
Максимова, Надежда Кузьминична
|
Филонов, Николай Григорьевич
Contributor
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Date
2005
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
|
Журналы ТГУ
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 121-128
Language
rus
Created: 28-06-2012
2399 Visitors
2209 Hits
221 Downloads
Журналы ТГУ
Сибирский физико-технический институт
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
^ DIV >