Роль электронной структуры AIIIBV полупроводниковой подложки в формировании низкой плотности интерфейсных состояний на границе раздела с фторсодержащим оксидом: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.02 - Физика

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
ВР.pdf	4 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Роль электронной структуры AIIIBV полупроводниковой подложки в формировании низкой плотности интерфейсных состояний на границе раздела с фторсодержащим оксидом: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.02 - Физика
Creator: Фукс, Артем Андреевич
Contributor: Научный руководитель: Кулькова, Светлана Евгеньевна
-: Научный руководитель: Бакулин, Александр Викторович
-: Томский государственный университет: Физический факультет
Date: 2019
Publisher: Томск: [б.и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет
Identifier: vital:9061
Type: выпускная бакалаврская работа

Created: 10-06-2019

634 Visitors

368 Hits

314 Downloads

Физический факультет Роль электронной структуры AIIIBV полупроводниковой подложки в формировании низкой плотности интерфейсных состояний на границе раздела с фторсодержащим оксидом: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.02 - Физика