Влияние условий роста на морфологию поверхности слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксиии: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
ВР.pdf	2 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние условий роста на морфологию поверхности слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксиии: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика
Creator: Воеводин, Владимир Иванович
Contributor: Научный руководитель: Новиков, Вадим Александрович
-: Томский государственный университет: Радиофизический факультет
Date: 2017
Publisher: Томск: [б.и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: vital:5600
Type: выпускная бакалаврская работа

Created: 20-06-2017

1309 Visitors

686 Hits

680 Downloads

Радиофизический факультет Влияние условий роста на морфологию поверхности слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксиии: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика