Влияние технологических параметров на вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных лавинных диодов на основе GаAs: дипломная работа (проект) специалиста по направлению подготовки: 11.05.01 - Радиоэлектронные системы и комплексы

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
ВР.pdf	2 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние технологических параметров на вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных лавинных диодов на основе GаAs: дипломная работа (проект) специалиста по направлению подготовки: 11.05.01 - Радиоэлектронные системы и комплексы
Creator: Бызов, Данил Сергеевич
Contributor: Научный руководитель: Копьев, Виктор Васильевич
-: Томский государственный университет: Радиофизический факультет
Date: 2026
Publisher: Томск: [б.и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: vital:24812
Type: дипломная работа (проект) специалиста

Created: 29-01-2026

58 Visitors

47 Hits

18 Downloads

Радиофизический факультет Влияние технологических параметров на вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных лавинных диодов на основе GаAs: дипломная работа (проект) специалиста по направлению подготовки: 11.05.01 - Радиоэлектронные системы и комплексы