Температурная зависимость эффективности сбора зарядов сенсоров на основе GaAs:Cr-структур при облучении импульсами ИК-диапазона: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
ВР.pdf	3 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Температурная зависимость эффективности сбора зарядов сенсоров на основе GaAs:Cr-структур при облучении импульсами ИК-диапазона: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика
Creator: Павлов, Илья Григорьевич
Contributor: Научный руководитель: Толбанов, Олег Петрович
-: Научный консультант: Лозинская, Анастасия Дмитриевна
-: Томский государственный университет: Радиофизический факультет
Date: 2019
Publisher: Томск: [б.и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: vital:10881
Type: выпускная бакалаврская работа

Created: 25-06-2019

695 Visitors

254 Hits

490 Downloads

Радиофизический факультет Температурная зависимость эффективности сбора зарядов сенсоров на основе GaAs:Cr-структур при облучении импульсами ИК-диапазона: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика