Измерение методом дифракции быстрых электронов параметров эпитаксиальных структур Ge/Si при молекулярнолучевой эпитаксии: магистерская диссертация по направлению подготовки: 12.04.03 - Фотоника и оптоинформатика

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
ВР.pdf	4 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Измерение методом дифракции быстрых электронов параметров эпитаксиальных структур Ge/Si при молекулярнолучевой эпитаксии: магистерская диссертация по направлению подготовки: 12.04.03 - Фотоника и оптоинформатика
Creator: Заяханов, Владимир Александрович
Contributor: Научный руководитель: Коханенко, Андрей Павлович
-: Томский государственный университет: Радиофизический факультет
Date: 2019
Publisher: Томск: [б.и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: vital:10714
Type: магистерская диссертация

Created: 24-06-2019

1575 Visitors

390 Hits

1341 Downloads

Радиофизический факультет Измерение методом дифракции быстрых электронов параметров эпитаксиальных структур Ge/Si при молекулярнолучевой эпитаксии: магистерская диссертация по направлению подготовки: 12.04.03 - Фотоника и оптоинформатика