Применение модифицированного генетического алгоритма повышенной сходимости для аппроксимации поверхности потенциальной энергии молекулы OCS

doi:10.17223/00213411/68/11/23

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Применение модифицированного генетического алгоритма повышенной сходимости для аппроксимации поверхности потенциальной энергии молекулы OCS	312 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/68/11/23

#машинное обучение

#генетические алгоритмы

#алгоритмы оптимизации

#итерационные алгоритмы

Title: Применение модифицированного генетического алгоритма повышенной сходимости для аппроксимации поверхности потенциальной энергии молекулы OCS
Title: The application of modified high convergence genetic algorithm for approximation of potential energy surface of OCS molecule
Creator: Третьяков, Аким Константинович
|
Николаев, Роман Валерьевич
|
Кистенев, Юрий Владимирович
|
Шипилов, Сергей Эдуардович
Date: 2025
DOI: 10.17223/00213411/68/11/23
Description: Приведены результаты апробации модифицированного генетического алгоритма повышенной сходимости (ГАПС) в задаче аппроксимации поверхности потенциальной энергии (ППЭ) молекулы OCS. Проведен сравнительный анализ и показано кратное превосходство ГАПС в точности при многократной аппроксимации ППЭ OCS относительно алгоритма Левенберга – Марквардта

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Научное управление
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Relation: Известия высших учебных заведений. Физика
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 11. С. 192-195
Language: rus

Created: 30-12-2025

2 Visitors

2 Hits

0 Downloads

Научное управление

Физический факультет Применение модифицированного генетического алгоритма повышенной сходимости для аппроксимации поверхности потенциальной энергии молекулы OCS