Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au–Sb

doi:10.17223/00213411/68/3/3

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au–Sb	524 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/68/3/3

#силицид магния

#фотодиодные гетероструктуры

#локальный фотоотклик

#экспериментальные исследования

Title: Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au–Sb
Creator: Шолыгин, Илья Олегович
|
Фомин, Дмитрий Владимирович
|
Галкин, Николай Геннадьевич
|
Галкин, Константин Николаевич
|
Чернев, Игорь Михайлович
|
Поляков, Алексей Вячеславович
Date: 2025
DOI: 10.17223/00213411/68/3/3
Description: В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического Mg2Si подтверждено данными спектроскопии комбинационного рассеяния света. По спектрам пропускания и отражения, полученным методом оптической спектроскопии, был рассчитан спектр коэффициента поглощения, что позволило установить ширину непрямой запрещенной зоны в пленках Mg2Si (0.80–0.86 эВ) и определить первый прямой межзонный переход с энергией 1.09–1.10 эВ, согласующийся с литературными данными. На основе сформированных пленок были изготовлены фотодиодные структуры, для которых сняты темновые вольт-амперные характеристики (ВАХ) и спектры фотоотклика при различных напряжениях на гетероструктуре Al/Mg2Si/Si/Au−Sb. Анализ ВАХ и спектров фотоотклика показал, что характеристики сильно отличаются от таковых для стандартного кремниевого p–n-перехода. Установлена зависимость спектров фотоотклика от знака и величины приложенного к контактам потенциала. Основной особенностью является узкая спектральная характеристика фотоотклика при 1050 нм, отсутствующая у кремниевого фотодиода. Анализ данных показал, что при высокотемпературном отжиге кремния в нем формируется двойной p–n-переход с запорным слоем, который вместе с гетеропереходом Mg2Si/Si-p и определяет уникальные свойства созданной гетероструктуры.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 3. С. 22-31
Language: rus

Created: 09-04-2025

227 Visitors

232 Hits

2 Downloads

Журналы ТГУ Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au–Sb