Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок

doi:10.17223/00213411/68/1/10

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок	2 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/68/1/10

#ионная очистка

#полупроводниковые материалы

#системы вакуумного осаждения

Title: Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок
Creator: Кузнецов, Владимир Сергеевич
|
Зиновьев, Михаил Михайлович
|
Юдин, Николай Николаевич
|
Подзывалов, Сергей Николаевич
|
Слюнько, Елена Сергеевна
|
Лысенко, Алексей Борисович
|
Кальсин, Андрей Юрьевич
|
Баалбаки, Хуссейн Алиевич
|
Грибенюков, Александр Иванович
|
Габдрахманов, Акмаль Шамилович
|
Кулеш, Максим Матвеевич
|
Антипов, Олег Леонидович
Date: 2025
DOI: 10.17223/00213411/68/1/10
Description: На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8–1.8 мкм) и избыточной (12–25 мкм) компенсации заряда от источника ионной очистки. Из вольт-амперных характеристик найден коэффициент компенсации, при котором не наблюдается пробоев на поверхности монокристалла Ge. Установлено, что при оптимальных параметрах нагрев подложки не влияет на результат ионной очистки.