Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe)₃(In₂Se₃), являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe)₃(In₂Se₃) высокоэнергетическими электронами (Ee = 10 МэВ, доза D = 10¹⁶ см⁻²) слабо влияет на электрофизические и магнитные свойства, что свидетельствует об их высокой радиационной стойкости.
267 Visitors
248 Hits
22 Downloads
