Для определения высокоточных значений колебательно-вращательных уровней основного колебательного состояния молекулы SiH₄ выполнен анализ колебательно-вращательного спектра высокого разрешения этой молекулы в диапазоне 600–1200 см⁻¹, где расположены полосы диады v₂/v₄. В результате были получены вращательные и центробежные параметры основного колебательного состояния со среднеквадратичным отклонением 2·10⁻⁴ см⁻¹.