Приведены результаты экспериментальных исследований темновых характеристик инфракрасных n+Bn-детекторов на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области. Проанализированы вклады объемной и поверхностной компонент темнового тока структур при различных температурах. Определены их энергии активации энергетических уровней обнаруженных в запрещенной зоне полупроводника.