Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики n B(SL) n структур на основе HgCdTe	887 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Горн, Дмитрий Игоревич
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Якушев, Максим Витальевич
Date: 2024
Description: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния постоянной подсветки на ВАХ униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиальных слоев КРТ со сверхрешеткой в барьерной области в широком диапазоне температур. Проведен анализ объемной и поверхностной компонент полного тока через структуру в темновом режиме и при воздействии подсветки.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2024. С. 285-286
Language: rus

Created: 13-10-2024

1319 Visitors

1232 Hits

110 Downloads

Радиофизический факультет Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe