Воздействием мощного лазерного излучения на полупроводниковые соединения с дефектной кристаллической структурой типа А¹В³₅С⁶₈ изменен тип электрической проводимости кристалла. Показано, что при определенной мощности и длине волны лазерного излучения, воздействующего на монокристаллический п-AgIn₅S₈, в области облучения кристалла образуется участок с р-типом проводимости. Сняты вольт-амперные характеристики созданных гомопереходов на основе n-AgIn₅S₈.