Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

2016

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле	430 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле
Creator: Гестрин, Сергей Геннадьевич
|
Щукина, Елена Вячеславовна
Date: 2016
Description: Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле n-типа. Показано, что решение уравнения Кортевега – де Фриза описывает уединенные волны, распространяющиеся вдоль оси цилиндра Рида. Получена оценка скорости солитона для значений физических параметров, характеризующих полупроводниковый кристалл и область вблизи дислокации.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 144-149
Language: rus