Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополевой зависимости сигнала фотопроводимости при освещении пленки со стороны подложки или со стороны свободной поверхности определены различные значения подвижности неосновных носителей заряда (электронов). Показано, что для математического описания сигнала фотопроводимости в магнитном поле можно использовать электроны двух типов – «быстрые» и «медленные», а также «тяжелые» дырки.