Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выражения для расчета зависимостей эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры от частоты тестового сигнала и напряжения смещения.