Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено влияние температуры отжига на характеристики структур. Обнаружено, что при длительном хранении в комнатной атмосфере структуры не меняют своих свойств, что проявляется в стабильности электрических характеристик.