Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

2014

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3	731 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#композиты

#слоистые полупроводники

#сегнетоэлектрики

#импедансная спектроскопия

#наноструктуры

Title: Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3
Creator: Бахтинов, Анатолий Петрович
|
Водопьянов, Владимир Николаевич
|
Ковалюк, Захар Дмитриевич
|
Кудринский, Захар Русланович
|
Нетяга, Виктор Васильевич
Date: 2014
Description: Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe в темноте и при их облучении светом. Установлено, что процессы аккумуляции и переноса носителей заряда в этих структурах определяются деформационным взаимодействием между 3D-наноразмерными пирамидальными сегнетоэлектрическими включениями и слоистой матрицей GaSe. В области низких частот импедансного спектра на частотных зависимостях наблюдаются резкие изменения проводимости и емкости структур. Зависимость импедансных спектров от приложенного к структурам постоянного напряжения при их облучении светом связывается с квантово-размерными эффектами, которые проявляются при наномасштабных деформациях кристалла и вследствие проявления эффекта электронной флексоэлектрической связи на искривленных наноразмерных участках его слоев, через которые осуществляется вертикальный транспорт носителей заряда. Установлено значительное увеличение электрической емкости композитных наноструктур при их освещении. Это явление обусловлено экранированием спонтанной поляризации наноразмерных сегнетоэлектрических включений неравновесными носителями заряда на границах раздела между включениями и матрицей GaSe.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 70-84
Language: rus

Created: 06-06-2024

204 Visitors

166 Hits

45 Downloads

Журналы ТГУ Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3