Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда (τ), а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений τ, обусловленные образованием уровня прилипания, связанного с комплексом «медь – кислород» [Cu–O] в кремнии. Показано, что уход атомов меди от насыщенной дислокации в объем слаболегированного кремния в процессе медленного охлаждения после высокотемпературной диффузии связан с распадом твердого раствора Si–Cu.