Исследована пространственная неоднородность монокристалла ZnGeP2, выращенного в новой установке, позволяющей изменять термические условия в рабочем объеме, давление в паровой фазе и создавать вынужденную конвекцию в расплаве. Показано, что применение непрерывной коррекции температурного режима кристаллизации позволяет стабилизировать скорость роста кристалла и уменьшить ее отклонение от номинальной скорости перемещения ростового контейнера, что снижает пространственную неоднородность выращиваемого кристалла.