Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

doi:10.17223/00213411/66/12/15

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

электролюминесценция | фотолюминесценция

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN	545 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/66/12/15

#гетероструктуры

#фотолюминесценция

#электролюминесценция

#квантовые ямы

#излучение

#электронный газ

Title: Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
Title: Photo- and electroluminescence spectra of heterostructures with InxGa1–xN/GaN multiple quantum wells
Creator: Бурмистров, Евгений Романович
|
Авакянц, Лев Павлович
Date: 2023
DOI: 10.17223/00213411/66/12/15
Description: Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной волны излучения 405 нм при комнатной температуре. Спектры электролюминесценции были получены при постоянном токе в диапазоне от 4 до 12 мА с шагом 2 мА. На основании численного самосогласованного решения уравнения Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны значения энергетических уровней и распределение плотности основных носителей заряда в одиночной КЯ InxGa1–xN/GaN. Результаты расчетов позволили связать максимумы в спектрах фото- и электролюминесценции с межзонными оптическими переходами основных носителей заряда в КЯ InGaN. Установлено, что наблюдаемые полосы в спектрах фотолюминесценции соответствуют фундаментальному переходу в КЯ InGaN между невозбужденными дырочными и электронными уровнями валентной зоны и зоны проводимости.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 12. С. 126-136
Language: rus