Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке	650 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке
Creator: Кортов, Всеволод Семенович
|
Звонарев, Сергей Владимирович
|
Спиридонова, Татьяна Владимировна
Date: 2011
Description: Описана физическая модель и программа расчета параметров заряжения диэлектриков при электронной бомбардировке. Методом компьютерного моделирования изучены основные процессы заряжения приповерхностных слоев диоксида кремния. Рассчитаны зависимости плотности тока, объемной плотности заряда и напряженности электрического поля от глубины слоя материала при варьировании параметров электронного пучка, длительности облучения и потенциала на сетке вблизи поверхности образца.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 25-31
Language: rus

Created: 16-04-2024

228 Visitors

166 Hits

67 Downloads

Журналы ТГУ Компьютерное моделирование процессов заряжения поверхности и приповерхностных слоев диоксида кремния при электронной бомбардировке