Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с теоретическими и экспериментальными данными.