Формирование силицидных пленок металлов ионными методами

doi:10.51368/1996-0948-2022-6-68-75

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Формирование силицидных пленок металлов ионными методами	430 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.51368/1996-0948-2022-6-68-75

#силициды металлов

#ионно-лучевая обработка

#КМОП-структуры

#низкотемпературные методы

#силициды

Title: Формирование силицидных пленок металлов ионными методами
Title: Ion formation of metal silicide films
Creator: Данилина, Тамара Ивановна
|
Чистоедова, Инна Анатольевна
|
Полынцев, Егор Сергеевич
Date: 2022
DOI: 10.51368/1996-0948-2022-6-68-75
Description: Исследована возможность формирования пленок силицидов металлов ионными методами, реализованными с помощью ионно-плазменного распыления в устройстве на основе пеннинговского разряда, а также комбинацией методов термического испарения металлов в высоком вакууме с ассистированием ионным пучком кремния. Установлен механизм образования силицидных пленок на различных подложках при сравнительно низкой температуре подложек до 300 оС в условиях ограниченного воздействия плазмы. Изготовлены экспериментальные образцы на основе силицидов Mo, W, W-Re, Ti в широком диапазоне сопротивлений 20-600 Ом/□ с температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) менее 10-4 град-1, что позволяет их рекомендовать в качестве проводящих и резистивных слоев для элементов микро- и наноэлектроники. Параметры методов с ассистированием ионными пучками были установлены с помощью моделирования процессов внедрения ионов, осаждения титана с учетом распыления и последующей экспериментальной отработкой режимов при получении пленок силицидов титана. При отжиге при 700 оС состав пленок был близок к дисилициду титана, сопротивление образцов уменьшилось до 1,6 Ом/□, что позволяет рекомендовать разработанные ионные методы в КМОП-технологиях.