Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами	960 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами
Creator: Верхолетов, Максим Георгиевич
Date: 2022

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 16-17
Language: rus

Created: 20-10-2023

233 Visitors

135 Hits

104 Downloads

Радиофизический факультет Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами