В рамках теории функционала плотности построена модель гипотетического кристалла Be2SeTe со структурой, подобной структуре халькопирита, получены равновесные параметры кристаллической решетки a = 5.4576 Å, c = 10.2701 Å, u = 0.2808. Вычислены упругие постоянные, модули упругости, коэффициент Пуассона (0.14) и установлено, что кристалл является прочным (микротвердость 19.5 ГПа) прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны 3.57 эВ.