Исследовано влияние состава газовой среды на электропроводящие свойства пленок In2O3-Ga2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 100-550oC пленки In2O3-Ga2O3 проявляют высокую чувствительность к H2, NH3 и CO, характеризуются высоким быстродействием и низким базовым сопротивлением. Предложен качественный механизм чувствительности пленок In2O3-Ga2O3 к газам.