Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

doi:10.51368/1996-0948-2022-4-40-45

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса	432 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.51368/1996-0948-2022-4-40-45

#МДП-структуры

#адмиттанс

#HgCdTe

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#барьерная структура

#nBn-структуры

Title: Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса
Title: Investigation of characteristics of MIS structures based on MBE n-HgCdTe NBvN barrier structures by admittance spectroscopy
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Горн, Дмитрий Игоревич
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Якушев, Максим Витальевич
Date: 2022
DOI: 10.51368/1996-0948-2022-4-40-45
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разработки на их основе инфракрасных (ИК) детекторов с пониженными темновыми токами для MWIR и LWIR спектральных областей. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследовано 7 типов МДП-структур. Показано, что измерения частотных зависимостей адмиттанса МДП-приборов позволяют точно определить дифференциальное сопротивление барьерной структуры. Установлено, что для одной из исследованных структур дифференциальное сопротивление определяется объемной компонентой темнового тока, а компонента поверхностной утечки не оказывает существенного влияния на измеряемый адмиттанс. Показано, что в случае решения проблемы пассивации мезаструктур возможно изготовление эффективных MWIR и LWIR nBn, NBvN-детекторов на основе МЛЭ HgCdTe с высокими пороговыми параметрами.