Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность

doi:10.17223/00213411/65/11/65

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность	290 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/65/11/65

#математическое моделирование

#кремний

#ионная имплантация

#температурные градиенты

Title: Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность
Creator: Иванова, Анна Ивановна
|
Блейхер, Галина Алексеевна
|
Вахрушев, Димитрий Олегович
|
Корнева, Ольга Сергеевна
Date: 2022
DOI: 10.17223/00213411/65/11/65
Description: Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Метод высокоинтенсивной имплантации пучками ионов высокой плотности мощности субмиллисекундной длительности предполагает значительный импульсный разогрев приповерхностного слоя облучаемой мишени с последующим быстрым его охлаждением за счет отвода тепла внутрь материала благодаря теплопроводности и реализацию импульсно-периодической радиационно-усиленной диффузии атомов на глубины, превышающие проективный пробег ионов. Численным моделированием исследуется динамика изменения температурных полей в пластине кремния при одноимпульсном и импульсно-периодическом воздействиях пучков ионов субмиллисекундной длительности с импульсной плотностью мощности до 109 Вт/м2. Определены условия, при которых в ионно-легируемом слое значение температуры будет соответствовать условиям радиационно-стимулированной диффузии имплантируемого элемента, а температура в матричном материале не приведет к ухудшению его микроструктуры и свойств.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 11. С. 65-69
Language: rus

Created: 05-12-2022

1014 Visitors

1072 Hits

5 Downloads

Журналы ТГУ Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность